[发明专利]固态光电倍增器装置有效
| 申请号： | 201580029613.0 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106461799B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | S.I.索罗维夫;P.M.桑维克;S.I.多林斯基;C-P.陈;H.C.克莱门;S.帕利特 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01T1/208 | 分类号： | G01T1/208 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;姜甜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于检测光子的方法以及设备。所述设备包含固态光电倍增器装置，其中所述固态光电倍增器装置具有多个微单元，所述微单元具有在25℃大于大约1.7 eV的带隙。所述固态光电倍增器装置进一步包含与微单元的每一个相关联的集成抑制装置以及薄膜涂层。本文中公开的所述固态光电倍增器装置在大约‑40℃到大约275℃的温度范围中操作。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 光电 倍增器 装置 | ||
【主权项】：
一种在井下钻探应用中检测高能量辐射的方法，所述方法包括：通过在暴露于所述高能量辐射的闪烁体中产生光子来检测所述高能量辐射；由固态光电倍增器装置在大于大约175℃的温度来检测所述光子；以及使用关联电子器件在大于175℃的温度来处理所检测的光子，从而产生对应于所检测的光子的信号，其中所述固态光电倍增器装置包括：多个微单元，具有在25℃大于大约1.7 eV的带隙；集成抑制装置，与各个微单元的每一个相关联；以及薄膜涂层，在每一个微单元的半导体表面上。
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