[发明专利]衬底和量测用图案形成装置、量测方法及器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201580024794.8 申请日: 2015-04-16
公开(公告)号: CN106462078B 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: R·奎因塔尼拉;W·M·J·M·科内 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 来自图案形成装置(M)的图案通过光刻设备(LA)被施加至衬底(W)。所施加的图案包括产品特征和量测目标(600,604)。量测目标包括用于使用X射线散射(量测设备104)测量重叠的大目标(600a)和用于通过可见辐射的衍射(量测设备102)测量重叠的小目标(600b,604)。小目标(604)中的一些分布在大目标之间的位置处,而其他小目标(600b)被放置在与大目标相同的位置处。通过将使用相同位置处的小目标(600b)和大目标(600a)测得的值进行比较,使用所有小目标测得的参数值(704)可以被校正用于更好的准确度。大目标可以主要位于划道(SL)内而小目标分布在产品区域(602,D)内。
搜索关键词: 衬底 量测用 图案 形成 装置 方法 器件 制造
【主权项】:
1.一种衬底,具有:形成于所述衬底上并分布于所述衬底之上的一个或多个产品特征,和适于在测量光刻工艺的性能的参数时使用的多个量测目标,所述产品特征和所述量测目标已通过所述光刻工艺被施加至所述衬底,其中所述量测目标包括:‑用于测量所述参数的第一组目标;‑用于测量相同参数的第二组目标;其中所述第一组目标的第一子集基本上分布在横跨所述衬底的第一位置处,所述第二组的目标也位于所述第一位置处,并且其中所述第一组目标的第二子集分布在除所述第一位置之外的第二位置处,且其中所述第一组目标包括具有比所述产品特征中的最小产品特征大很多倍的大小的主特征,并且所述第二组目标包括与包括多个特征的所述产品特征中的最小产品特征类似的大小的主特征,由此能够通过使用比150nm长的波长的辐射检查所述第一组的目标并且通过使用X辐射检查所述第二组的目标,在所述第一位置中的每个第一位置处测量所述参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580024794.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top