[发明专利]用于光电子器件的无源波导结构有效
| 申请号： | 201580020836.0 | 申请日： | 2015-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN106233550B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | C·G·卡诺;谢峰;C·E·扎赫 | 申请（专利权）人： | 统雷量子电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑勇 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种具有光学模式和增益区的半导体光发射器，所述光发射器包括由半导体材料A和B的双交替层制成的低损耗波导结构，半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb，低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间。其中No与增益区折射率的差值在5％的误差容限内，其中所述增益区是与低损耗波导相对接，其中所述低损耗波导中的光学模式的大小及形状和增益区的大小及形状的差值在10％的误差容限内。理想地，所述半导体材料A和B中至少一个具有足够较大的带隙，使得在15V的偏压下，无源波导结构能够阻挡电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电子 器件 无源 波导 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光发射器，在光学模式下可操作，和包含增益区，所述发射器包括由至少两种半导体材料A和B的交替层制成的低损耗波导结构，所述半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb，所述低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间，其中选择半导体材料A和B的厚度比值以形成在5％的误差容限内有效折射率No等于与增益区折射率的低损耗波导，其中所述增益区是与光学模式传播方向上的低损耗波导相对接，以及其中所述低损耗波导中的光学模式的大小及形状和增益区的大小及形状的差值在10％的误差容限内。
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