[发明专利]提高粒子大小的均匀度的连续式氮化硅制备装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201580020005.3 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106232519A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 具宰弘;郑镛权;金新芽;池银玉 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C01B33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 吕琳;刘明海 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供连续式氮化硅制备装置，上述连续式氮化硅制备装置包括：合成反应器，呈横向排列的圆筒形状，通过各个喷嘴从水平方向接收四氯硅烷(SiCl4)气体和氨(NH3)气体，并制备作为生成物的二亚氨基硅(Si(NH)2)和作为副产物的氯化铵(NH4Cl)；热分解反应器，从上述合成反应器接收上述生成物和上述副产物的混合粉末，在第一区域对氯化铵进行热分解，在第二区域对二亚氨基硅进行热分解，并生成非晶质氯化硅，上述第一区域和上述第二区域以连续的方式相连接而成；以及结晶化反应器，对从上述热分解反应器排放的非晶质氮化硅进行加热至1200～1700℃的温度，使上述非晶质氮化硅进行结晶化而形成晶体形氮化硅(Crystal Si3N4)。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 粒子 大小 均匀 连续 氮化 制备 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种连续式氮化硅制备装置，其特征在于，包括：合成反应器，呈横向排列的圆筒形状，通过各个喷嘴从水平方向接收四氯硅烷(SiCl4)气体和氨(NH3)气体，来制备作为生成物的二亚氨基硅(Si(NH)2)和作为副产物的氯化铵(NH4Cl)；热分解反应器，从上述合成反应器接收上述生成物和上述副产物的混合粉末，在第一区域对氯化铵进行热分解，在第二区域对二亚氨基硅进行热分解，来生成非晶质氯化硅，上述第一区域和上述第二区域以连续的方式相连接而成；以及结晶化反应器，以1200～1700℃的温度对从上述热分解反应器排放的非晶质氮化硅进行加热，来形成晶体形氮化硅(Crystal Si3N4)。
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