[发明专利]用于生成与磁性隧道结联用的参考的方法和装置有效
| 申请号： | 201580019969.6 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106233391B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | S·金;T·金;J·P·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/14 | 分类号： | G11C7/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于生成与磁性隧道结联用的参考的方法和装置。在一示例中，提供了一种磁阻只读存储器，该磁阻只读存储器包括磁性隧道结(MTJ)存储元件、其第一输入端耦合至该MTJ存储元件的感测放大器、以及耦合至该感测放大器的第二输入端的参考电阻设备。参考电阻设备包括多个具有至少两个参考MTJ设备的组。相应组中的每个参考MTJ设备与该相应组中的每个其他参考MTJ设备并联耦合。每个组与其他组串联耦合。该布局有利地减轻读扰乱和参考电平变动，同时节省功率、减少参考电阻设备面积以及增加读速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生成 磁性 隧道 联用 参考 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于读取磁性隧道结MTJ存储元件的方法，包括：使第一电流通过所述MTJ存储元件以生成第一电压；使第二电流通过参考电阻设备以生成第二电压，其中所述参考电阻设备包括多个具有至少两个参考MTJ设备的组，其中相应组中的每个参考MTJ设备与所述相应组中的每个其他参考MTJ设备并联耦合，并且参考MTJ设备的每个组与参考MTJ设备的其他组串联耦合；跨所述参考MTJ设备中的至少一个参考MTJ设备短路以改变所述参考电阻设备的电阻，其中流经所述参考电阻设备的所述第二电流在流经所述多个具有至少两个参考MTJ设备的组期间在交替方向上行进；使用感测放大器将所述第一电压与所述第二电压作比较；以及响应于所述第一电压与所述第二电压的所述比较而从所述感测放大器输出高或低信号。
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