[发明专利]可调谐SOI激光器有效
| 申请号： | 201580012694.3 | 申请日： | 2015-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106104947B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | A.G.里克曼;A.齐尔基 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/14 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王星;刘春元 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种波长可调谐绝缘体上硅(SOI)激光器(1)包括：激光腔，包括：具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2)，其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22)；以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3)，相位可调谐波导平台包括：第一谐振器(34)和第二谐振器(35)；至少一个谐振器是相位可调谐谐振器；其中第一谐振器是下列任一个：MMI装置(34)，包括限定它们之间的谐振腔的一对反射表面，使得该装置配置成充当法布里‑珀罗滤波器；环形谐振器；或者波导法布里‑珀罗滤波器；并且其中第二谐振器是下列任一个：MMI装置，包括限定它们之间的谐振腔的一对反射表面，使得该装置配置成充当法布里‑珀罗滤波器；环形谐振器；或者波导法布里‑珀罗滤波器。来自谐振器的输出耦合可由1×3耦合器(4)来实现，并且谐振器可包括用于波长微调的附加相位调谐元件(53)。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 soi 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种波长可调谐绝缘体上硅激光器，包括：/n激光腔，包括：/n半导体增益介质，具有前端和后端；以及/n相位可调谐波导平台，耦合到所述半导体增益介质的所述前端，所述相位可调谐波导平台包括：/n第一MMI装置和第二MMI装置，每个MMI装置包括：/n单个多模波导；/n位于所述MMI装置的后端的第一反射表面；/n位于所述MMI装置的前端的第二反射表面；/n限定它们之间的谐振腔的所述第一反射表面和所述第二反射表面，由此所述装置充当法布里-珀罗滤波器；/n其中所述第一MMI装置的自由谱范围不同于所述第二MMI装置的自由谱范围；以及/n其中所述第一MMI装置和所述第二MMI装置中的至少一个是相位可调谐MMI装置，所述相位可调谐MMI装置包括在其第一反射表面和第二反射表面之间的相位调谐区。/n
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