[发明专利]闸流晶体管随机存取存储器中的功率减小有效
| 申请号： | 201580010700.1 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106030712B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | H·栾;B·贝特曼;V·阿克赛尔拉德;C·程 | 申请（专利权）人： | 克劳帕斯科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了减少这种阵列中功耗的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 随机存取存储器 中的 功率 减小 | ||
【主权项】：
在具有i条阳极线、j条阴极线和垂直闸流晶体管存储器单元的阵列的易失性存储器阵列中，所述垂直闸流晶体管存储器单元具有耦合到阳极线的第一电极和耦合到阴极线的第二电极，并且其中，N个闸流晶体管存储器单元连接到选定的阳极线，一种减少要被存取以进行操作的所述选定的阳极线中的电流的方法包括：(a)将耦合到所述选定的阳极线的所述N个闸流晶体管存储器单元分成M组，每组具有k个闸流晶体管存储器单元，其中，k大于1；(b)对于其中至少一个闸流晶体管存储器单元要被执行期望的操作的、第一组的k个闸流晶体管存储器单元，向耦合到k个闸流晶体管存储器单元的阴极线施加第一电压；(c)对于所述N个闸流晶体管存储器单元中的除所述第一组的k个闸流晶体管存储器单元之外的所有其它闸流晶体管存储器单元，向耦合到所述N个闸流晶体管存储器单元中的所述所有其它闸流晶体管存储器单元的阴极线施加第二电压，其中所述第二电压高于所述第一电压；(d)对k个闸流晶体管存储器单元中的至少一个执行所述期望的操作；(e)从所述M组的闸流晶体管存储器单元中选择第二组的k个闸流晶体管存储器单元；(f)对于其中至少一个闸流晶体管存储器单元要被执行所述期望的操作的、所述第二组的k个闸流晶体管存储器单元，向耦合到k个闸流晶体管存储器单元的阴极线施加所述第一电压；(g)对于所述N个闸流晶体管存储器单元中的除所述第二组的k个闸流晶体管存储器单元之外的所有其它闸流晶体管存储器单元，向耦合到所述N个闸流晶体管存储器单元中的所述所有其它闸流晶体管存储器单元的阴极线施加所述第二电压；以及(h)对所述第二组的k个闸流晶体管存储器单元中的至少一个执行所述期望的操作。
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