[发明专利]单晶硅制造装置的氩气回收精制方法及氩气回收精制装置

摘要

本发明是一种氩气回收精制方法及氩气回收精制装置，该方法具有从单晶硅制造装置向废氩气贮槽导入含有氮气、氧气及一氧化碳的废氩气的工序、用去除所述废氩气中的固形物的预处理设备来去除所述固形物的工序、通过催化反应分别将所述氧气转化为水、将所述一氧化碳转化为二氧化碳的工序、及去除所述水、所述二氧化碳及所述氮气得到回收气体的工序，在通过将催化剂配置于双级压缩机内，仅用压缩热进行所述催化反应来得到所述回收气体的工序中，在预先用干燥机去除所述水后，用常温吸附塔吸附去除所述氮气、所述二氧化碳。由此提供一种使用简单且低成本的设备，就能够稳定去除从单晶硅制造装置排出的大风量氩气中所含的杂质气体的氩气回收精制方法。

主权项

一种氩气回收精制方法，该方法具有从单晶硅制造装置向废氩气贮槽导入含有氮气、氧气及一氧化碳的废氩气的工序、通过去除所述废氩气中的固形物的预处理设备来去除所述固形物的工序、通过催化反应分别将所述氧气转化为水、将所述一氧化碳转化为二氧化碳的工序、以及去除所述水、所述二氧化碳及所述氮气得到回收气体的工序，其特征在于，在通过将催化剂配置于双级压缩机内，仅用压缩热进行所述催化反应，从而得到所述回收气体的工序中，预先用干燥机去除所述水，然后用常温吸附塔吸附去除所述氮气、所述二氧化碳，在所述转化的工序中，首先，在所述双级压缩机的第一级的压缩单元的前面，一边控制添加量一边向所述废氩气中添加氧气，然后进行一级压缩操作，通过由该压缩操作产生的压缩热，使所述废氩气的温度上升至100～200℃之后，立即在设置于所述第一级压缩单元后段的第一级催化单元，使所述一氧化碳及所述添加的氧气进行所述催化反应，由此转化为所述二氧化碳，然后，在所述双级压缩机的第二级压缩单元的前面，一边控制添加量一边向所述废氩气中添加氢气，然后进行二级压缩操作，通过由该压缩操作产生的压缩热，使所述废氩气的温度上升至100～200℃之后，立即在设置于所述第二级压缩单元后段的第二级催化单元，使所述氧气及所述添加的氢气进行所述催化反应，由此转化为所述水。