[发明专利]氢氧化物离子传导致密膜及复合材料在审
| 申请号： | 201580002124.6 | 申请日： | 2015-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107210081A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 浅井宏太;鬼头贤信 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/06 | 分类号： | H01B1/06;B32B5/18;C01F7/00;C08J5/22;H01B5/14;H01M2/16;H01M8/0245;H01M10/36 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)11432 | 代理人： | 王轶,郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氢氧化物离子传导致密膜，具有氢氧化物离子传导性，并且，每单位面积的He透过率为10cm/min·atm以下。根据本发明，能够提供可显著降低氢氧化物离子以外的物质(特别是锌二次电池中引起锌枝晶生长的Zn)透过、由此特别适用于电池用隔板等规定用途(特别是锌枝晶生长构成问题的锌二次电池用途)的、致密性极高的氢氧化物离子传导致密膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氢氧化物 离子 传导 致密 复合材料 | ||
【主权项】：
一种氢氧化物离子传导致密膜，具有氢氧化物离子传导性，并且，每单位面积的He透过率为10cm/min·atm以下。
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