[实用新型]改进的H-桥PFC电路有效

专利信息
申请号: 201521135826.5 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN205356140U 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 郑钟仁 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 高见
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型描述了一种改进的H-桥PFC电路。根据本实用新型实施例的改进的H-桥PFC电路,包括:多个MOSFET开关;多个二极管,其中所述多个MOSFET开关和所述多个二极管被耦合至电力网络,其中所述多个MOSFET开关中的第一MOSFET开关与第二MOSFET开关串联,所述多个二极管中的第一二极管与所述第一MOSFET开关并联,所述多个二极管中的第二二极管与所述第二MOSFET开关并联,其中所述第一MOSFET开关的体二极管与所述第二MOSFET开关的体二极管方向相反,并且其中所述第一二极管的负极和所述第一MOSFET开关经由电感连接至电力网络的火线,而所述第二二极管的负极和所述第二MOSFET开关连接至电力网络的零线。
搜索关键词: 改进 pfc 电路
【主权项】:
一种改进的H‑桥PFC电路,包括:多个MOSFET开关;多个二极管,其中所述多个MOSFET开关和所述多个二极管被耦合至电力网络,其中所述多个MOSFET开关中的第一MOSFET开关与第二MOSFET开关串联,所述多个二极管中的第一二极管与所述第一MOSFET开关并联,所述多个二极管中的第二二极管与所述第二MOSFET开关并联,其中所述第一MOSFET开关的体二极管与所述第二MOSFET开关的体二极管方向相反,并且其中所述第一二极管的负极和所述第一MOSFET开关经由电感连接至电力网络的火线,而所述第二二极管的负极和所述第二MOSFET开关连接至电力网络的零线。
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