[实用新型]一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件有效
| 申请号： | 201520952941.5 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN205566234U | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 钱明娥 | 申请（专利权）人： | 广州荣锋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 510000 广东省广州市天河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件，包括激励电平控制原件、功率晶体管、射频功率集成电路，所述激励电平控制原件通过信号导线连接着功率晶体管；所述功率晶体管上端设有射频功率集成电路；所述射频功率集成电路安装在低噪声放大器右侧；所述低噪声放大器输入端连接着集电极电子管；所述集电极电子管包裹在电磁兼容器外部；所述电磁兼容器通过导线连接着GSM直放站功率放大芯片；所述GSM直放站功率放大芯片下端安装有开路解码器；所述开路解码器设置在低压降稳压原件上端。本实用新型结构简单、设计合理、效率高、制作成本低，适合运用推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 放大 射频 功率 性能 功放 原件 | ||
【主权项】：
一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件，其特征在于：激励电平控制原件、功率晶体管、射频功率集成电路，所述激励电平控制原件通过信号导线连接着功率晶体管；所述功率晶体管上端设有射频功率集成电路；所述射频功率集成电路安装在低噪声放大器右侧；所述低噪声放大器输入端连接着集电极电子管；所述集电极电子管包裹在电磁兼容器外部；所述电磁兼容器通过导线连接着GSM直放站功率放大芯片；所述GSM直放站功率放大芯片下端安装有开路解码器；所述开路解码器设置在低压降稳压原件上端；所述低压降稳压原件通过信号导线连接着电源控制器。
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