[实用新型]三相整流桥模块有效
申请号: | 201520857070.9 | 申请日: | 2015-10-26 |
公开(公告)号: | CN205029569U | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 张彭春;黄红兵;黄泽彬 | 申请(专利权)人: | 欣大电气有限公司 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H01L25/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325604 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种三相整流桥模块,包括底板、外壳、陶瓷片、二极管芯片、可控硅芯片、正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极,L型电极焊接和负电极焊接在陶瓷片上,6个二极管芯片按阴极朝上分两列分别焊接在3个L型电极和负电极上,L型电极的下端横跨焊接在另一列二极管芯片的上端的阴极面上,可控硅芯片通过连接片焊接在陶瓷片上,连接片向一侧延伸形成引出端,R2电极连接在L型电极一侧的二极管芯片的阴极面上和可控硅芯片的引出端上,正电极连接在可控硅芯片上端的阴极面上,G电极通过软线连接在可控硅芯片的触发门极上,外壳盖在底板上。本实用新型的品质稳定易于规模化生产,具有体积小、性价比高等优点。 | ||
搜索关键词: | 三相 整流 模块 | ||
【主权项】:
一种三相整流桥模块,包括底板、外壳、陶瓷片、二极管芯片、可控硅芯片、正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极,其特征在于:所述陶瓷片真空焊接在底板上,L型电极焊接在一侧的陶瓷片上,负电极焊接在另一侧的陶瓷片上,6个二极管芯片按阴极朝上分两列分别焊接在3个L型电极和负电极上,L型电极的下端横跨焊接在另一列二极管芯片的上端的阴极面上,可控硅芯片下端焊接有连接片,连接片焊接在陶瓷片上,连接片向一侧延伸形成引出端,R2电极连接在L型电极一侧的二极管芯片的阴极面上和可控硅芯片的引出端上,正电极连接在可控硅芯片上端的阴极面上,G电极通过软线连接在可控硅芯片的触发门极上,外壳盖在底板上,正电极、负电极、L型电极、R2电极、G电极的引出端伸出到外壳外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣大电气有限公司,未经欣大电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520857070.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。