[实用新型]一种近耦合或密耦合集成电路卡有效
申请号: | 201520576106.6 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN204856563U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 谭宏伟 | 申请(专利权)人: | 谭宏伟 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110028 辽宁省沈阳市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型涉及集成电路卡,具体地说是一种符合ISO/IEC1443国际标准的近耦合或密耦合集成电路卡,包括上层主体、下层主体、线圈及芯片,其中上、下层主体相连,所述下层主体朝向上层主体的表面上分别设有线圈凹槽及芯片凹槽,所述线圈及芯片分别容置于该线圈凹槽及芯片凹槽内,夹在所述上、下层主体之间;所述上层主体为双层结构,即所述上层主体的一面与所述下层主体连接,另一面设有吸波导磁层。本实用新型放在装有多个卡的钱夹的最外边,使吸波导磁层的那一面朝里,就可以用钱夹刷卡,不必再掏出钱夹,便于携带、使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 耦合 集成 路卡 | ||
【主权项】:
一种近耦合或密耦合集成电路卡,包括上层主体、下层主体、线圈及芯片,其中上、下层主体相连,所述下层主体朝向上层主体的表面上分别设有线圈凹槽及芯片凹槽,所述线圈及芯片分别容置于该线圈凹槽及芯片凹槽内,夹在所述上、下层主体之间;其特征在于:所述上层主体(1)为双层结构,即所述上层主体(1)的一面与所述下层主体(2)连接,另一面设有吸波导磁层(7)。
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