[实用新型]中压互感器内部均衡场强装置有效
| 申请号： | 201520557218.7 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN204884840U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 管清波;王雨凡;吴家旺;吴雪锋;朱清琦;王少蔚;沈显宝;李静 | 申请（专利权）人： | 厦门大一互科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F38/20 | 分类号： | H01F38/20;H01F27/32;H01B3/52 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了中压互感器内部均衡场强装置，包括缠绕在一次绕组最外层的具有不同面电阻值的半导体皱纹纸，面电阻值小的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强高的区域，面电阻值大的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强低的区域，一次绕组和二次绕组之间填充主绝缘。本实用新型可使一次绕组和二次绕组之间的场强均衡化，降低了局部放电量，并保持了原有一次绕组和二次绕组的结构不变，不会降低中压互感器的参数。 | ||
| 搜索关键词： | 互感器 内部 均衡 场强 装置 | ||
【主权项】：
中压互感器内部均衡场强装置，其特征在于：包括缠绕在一次绕组最外层的具有不同面电阻值的半导体皱纹纸，面电阻值小的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强高的区域，面电阻值大的半导体皱纹纸安装在一次绕组和二次绕组场强低的区域，一次绕组和二次绕组之间填充有主绝缘。
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