[实用新型]晶振式达林顿型发射电路

摘要

晶振式达林顿型发射电路，属于信息技术领域。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式，由射频电路，电源电路，微分型达林顿式转换电路，变码控制电路，电子开关电路，编码集成电路共同组成。在发射开关按下后，微分型达林顿式转换电路立即启动，形成两次变换，启动变码控制电路与电子开关电路，共同形成两次变换，控制编码集成电路的两位变动码与两位变位端，通过对射频电路中调制三极管的激励，达到双码调制发射的目的。一种∩形的铜箔天线与射频相配合，减少外界恶劣天气与周围环境对发射的影响，将普通三态编码发射提升为一种高密级的变码发射，为研究发射技术提供了新的方向与思路。

主权项

晶振式达林顿型发射电路，其特征是：由射频电路，电源电路，微分型达林顿式转换电路，变码控制电路，电子开关电路，编码集成电路共同组成；其中：电源电路由电池与发射开关组成：电池的负极接晶振式达林顿型发射电路的地线，电池的正极接发射开关的一端，发射开关的另一端为晶振式达林顿型发射电路的电源；编码集成电路的地址码中的两位地址码接为变动码，分别连接变码控制电路的两路输出，其余接为固定码；编码集成电路的数据端中有两位数据端接为变位端，一位变位端连接微分型达林顿式转换电路的输出，这位变动码即是第一变位端，另一位变位端连接电子开关的输出端，这位变位端即是第二变位端；编码集成电路的输出连接射频电路；射频电路由调制电路、高频电路、铜箔天线组成；铜箔天线是∩形状，左右两条垂直铜箔用弧形铜箔吻接，其尺寸是，铜箔宽度为2毫米，左右两条垂直的铜箔长度为30毫米，两条垂直铜箔的间距为20毫米，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米；调制电路由调制电阻与调制三极管组成：编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端接调制三极管的基极，调制三极管的发射极接地线，调制三极管的集电极接高频发射管的发射极；高频电路由晶振、调频电容、与调频电容并联的固定电容、旁路电容、去耦电容、高频发射管、高频发射管的基极电阻组成；高频电路：晶振有三个端头，一个端头接铜箔天线的输入端，第二个端头接高频发射管的基极，第三个端头接高频发射管的发射极；高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间，高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端；铜箔天线的输入端与输出端之间接一个调频电容，调频电容并联一个固定电容；旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间；去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间；微分型达林顿式转换电路由微分电路、达林顿电路、降压电路组成；微分电路由微分电容、放电二极管、触发电阻组成；达林顿电路由达林顿一管、达林顿二管、基极对地电阻、集电极电阻组成；微分电容的一端连接电源，微分电容的另一端接两路，一路接放电二极管到地线，一路接触发电阻到达林顿一管的基极，基极对地电阻接在地线与达林顿一管的基极之间，达林顿一管的发射极连接达林顿二管的基极，达林顿二管的发射极接地线，达林顿一管与达林顿二管的集电极接在一起，连接集电极电阻到电源；降压电路由两只二极管串联而成：串联二极管的正极连接在两个达林顿管的集电极上，负极即是微分型达林顿式转换电路的输出，连接编码集成电路的一位变位端，这位变位端即是第一变位端；变码控制电路由第一变动码控制电路与第二变动码控制电路组成；第一变动码控制电路是一个电子继电器，电子继电器的控制端连接微分型达林顿式转换电路的输出，电子继电器的输入端接地线，电子继电器的输出端即是变码控制电路的第一输出，接编码集成电路的一位变动码，这位变动码即是第一变动码；第二变动码控制电路是电阻与另一个电子继电器组成：此电子继电器的控制端连接微分型达林顿式转换电路的输出，此电子继电器的输入端与电源之间接一个电阻，此电子继电器的输出端即是变码控制电路的第二输出，连接编码集成电路的另一位变动码，这位变动码即是第二变动码；电子开关电路由电子开关与开关电阻电子开关的控制端接微分型达林顿式转换电路的输出，电子开关的输入端接地线，电子开关的输出端与电源之间接一个开关电阻，电子开关的输出端即是电子开关电路的输出，连接编码集成电路的另一位变位端，这位变位端即是第二变位端。