[实用新型]坩埚有效
| 申请号： | 201520463639.3 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN204752904U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 何亮;胡动力;雷琦;罗鸿志 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种坩埚，应用于多晶硅铸锭生产，坩埚包括侧壁及连接侧壁的底壁，侧壁上设凹坑结构，凹坑结构沿侧壁高度方向设置并延伸至底壁。本实用新型提供的坩埚通过在坩埚的侧壁上设置凹坑结构，从而替代了现有的采用侧壁平整的设计，当在多晶硅的长晶阶段时，侧壁上生长的晶体由于多个凹坑结构的作用，能够在坩埚侧壁上形成小晶粒，从而能够使得晶体的生长方向与中心生长的晶体的生长方向一致，同时由于小晶粒相对于原有的大晶粒的生长应力小，因而能够释放一定的生长应力，使得作用在侧壁晶体上的生长应力减少，有利于侧壁晶体的生长，并能够减少生长成的晶体的位错，故而能够提高晶体的生长质量，同时能够进一步提高后续硅片的转化率。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 | ||
【主权项】：
一种坩埚，应用于多晶硅铸锭生产，其特征在于，所述坩埚包括侧壁以及连接所述侧壁的底壁，所述侧壁上设置有凹坑结构，所述凹坑结构沿所述侧壁高度方向设置并延伸至所述底壁。
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