[实用新型]不受温度影响的电流源有效
| 申请号： | 201520420318.5 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN204719592U | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 齐盛 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种不受温度影响的电流源。不受温度影响的电流源包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。利用本实用新型提供的不受温度影响的电流源能够输出不随温度影响的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 不受 温度 影响 电流 | ||
【主权项】：
不受温度影响的电流源，其特征在于：包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述第一NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第一PMOS管的源极；所述第一PMOS管的栅极接地，漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一NMOS管的源极；所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端IOUT，源极接地。
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