[实用新型]电流产生装置

摘要

本实用新型公开了一种电流产生装置。电流产生装置包括第一运算放大器、第一NMOS管、第二运算放大器、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管。利用本实用新型提供的电流产生装置能够产生不随电源电压变化的电流。

主权项

电流产生装置，其特征在于：包括第一运算放大器、第一NMOS管、第二运算放大器、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；所述第二运算放大器的正输入端接基准电压VREF2，负输入端和输出端接在一起构成跟随器；所述第一电阻的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二运算放大器的负输入端和输出端；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源VCC；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的源极，源极接电源VCC；所述第四PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极；所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二NMOS管的源极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和漏极，漏极接输出电流IREF，源极接所述第五NMOS管的漏极；所述第五NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第四NMOS管的源极，源极接地。