[实用新型]一种带隙基准的启动电路有效

专利信息
申请号: 201520181258.6 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN204480099U 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 成俊 申请(专利权)人: 西安华芯半导体有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 张倩
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种带隙基准的启动电路,电阻R3、电容C1和电容C2的一端均接地,MOS管M7的栅端与源端连接后接地,电阻R3的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的栅端连接于d点,MOS管M5的漏端、MOS管M6的栅端、电容C1的另一端以及MOS管M7的漏端连接于e点,MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均与VDD电源连接,MOS管M4的栅端接VDD电源,MOS管M6的漏端以及电容C2的另一端均与带隙基准连接。本实用新型解决了现有的带隙基准的启动电路始终存在一个静态功耗、版图面积大的技术问题。当带隙基准启动完成后,本实用新型启动电路没有静态电流,节省了功耗。
搜索关键词: 一种 基准 启动 电路
【主权项】:
一种带隙基准的启动电路,其特征在于:包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、电阻R3、电容C1和电容C2,所述电阻R3、电容C1和电容C2的一端均接地,所述MOS管M7的栅端与源端连接后接地,所述电阻R3的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的栅端连接于d点,所述MOS管M5的漏端、MOS管M6的栅端、电容C1的另一端以及MOS管M7的漏端连接于e点,所述的MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均与VDD电源连接,所述MOS管M4的栅端接VDD电源,所述MOS管M6的漏端以及电容C2的另一端均与带隙基准连接,所述MOS管M5的宽长比小于MOS管M6的宽长比。
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