[实用新型]一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版有效
| 申请号： | 201520118909.7 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN204925611U | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张芷铭;邱俊 | 申请（专利权）人： | 安庆美晶新材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 246008 安徽省安庆市安庆经济技术开发区皖江大*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版。它的图案由数字和十字符号组成，能够通过光刻镀膜的方法将图案制于基底材料上，形成易于观察的金属图案。从而达到在光学、电学实验中能够方便标记并快速寻找样品位置的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 辅助 定位 标记 图案 光刻 掩膜版 | ||
【主权项】：
一种带有辅助定位标记图案的光刻掩膜版，其特征是：由十字符号和数字以及直线等元素规律排列而组成。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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