[实用新型]一种掩模板有效
申请号: | 201520054802.0 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN204374608U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 高志翔;刘丽想;董丽娟;刘艳红;王萍;杨春花;石云龙 | 申请(专利权)人: | 山西大同大学 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 037009 山西省大*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种掩模板,用以通过该掩模板实现目标基板上线宽更窄,线宽一致的图形结构。本实用新型提供的掩模板包括:狭缝状透光区域和不透光区域,所述狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域;所述凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状;所述两个边缘的凸起区域镜像对称,两个边缘的凹陷区域镜像对称;每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同;两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1-3μm,以及凹陷区域之间的距离为3-4μm。 | ||
搜索关键词: | 一种 模板 | ||
【主权项】:
一种掩模板,包括:狭缝状透光区域和不透光区域,其特征在于,所述狭缝状透光区域的每一个边缘具有凸起区域和凹陷区域;所述凸起区域和凹陷区域为等腰梯形状;所述两个边缘的凸起区域镜像对称,两个边缘的凹陷区域镜像对称;每一个边缘中相邻的凹陷区域和凸起区域形状相同且大小相同;两个边缘中镜像对称的凸起区域之间的距离为1‑3μm,以及凹陷区域之间的距离为3‑4μm。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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