[实用新型]磁控溅射镀膜设备有效
| 申请号： | 201520018417.0 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN204455279U | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉华;方凤军 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻显示器件有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种磁控溅射镀膜设备。该磁控溅射镀膜设备包括依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室，所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热器。在镀膜腔室中镀制ITO薄膜后，镀好ITO薄膜的玻璃基板依次通过第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室进行逐渐冷却，以释放ITO薄膜的内应力，降低ITO薄膜的硬度，制备柔韧性较高的ITO玻璃。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室，所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热器；所述镀膜腔室的设定温度为380℃～600℃，所述第一过渡室的设定温度为300℃～500℃，所述第二过渡室的设定温度为250℃～400℃，所述缓冲室的设定温度为100℃～300℃，所述出口锁定室的设定温度为20℃～200℃。
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