[实用新型]一种用于生产高纯多晶硅铸锭的石英坩埚涂层有效
申请号: | 201520006346.2 | 申请日: | 2015-01-06 |
公开(公告)号: | CN205326392U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 张福军;张伏严;张晓艳 | 申请(专利权)人: | 常熟华融太阳能新型材料有限公司 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B32B37/12;C30B29/06;C30B28/06 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 215500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种用于生产高纯多晶硅铸锭的石英坩埚涂层,氮化硅涂层或氮化硅中添加少量其它不与硅反应的物质组成的混合物涂层,该涂层创造性的采用流延工艺制得;该涂层厚度为0.2-5mm,通过添加硅溶胶及其它陶瓷粘结剂将流延制备的涂层平整的粘在坩埚底部,得到用于生产高纯多晶硅的石英坩埚。该石英坩埚在全熔工艺下,铸造的晶锭少子寿命平均值在5.0-5.8μs,与普通全熔工艺少子寿命相当,晶锭底部红区较普通全熔工艺减少5-15mm,晶锭在统一标准下划线,收益率可提升2%-5%,大大增加铸锭产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 高纯 多晶 铸锭 石英 坩埚 涂层 | ||
【主权项】:
一种用于生产高纯多晶硅铸锭的石英坩埚涂层,其特征在于,该涂层成分为氮化硅,所述的氮化硅涂层设置在坩埚本体的内底或/和四面内边墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常熟华融太阳能新型材料有限公司,未经常熟华融太阳能新型材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520006346.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:复方烟酸诺氟沙星注射液及制备方法
- 下一篇:一种隔热保温布