[发明专利]一种大规模集成电路设计和制造的综合优化设备及方法有效

专利信息
申请号: 201511019096.7 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN105740496B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 俞宗强;李江伟 申请(专利权)人: 东方晶源微电子科技(北京)有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 代理人: 王明霞
地址: 100176 北京市北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种新型的大规模集成电路设计和制造的综合优化设备及方法,该设备包括:成像系统,用于采集芯片制造过程中芯片的工艺图像;计算系统,用于将采集到的工艺图像进行分析处理;信息反馈系统,用于将分析处理后的结果反馈给芯片设计‑制造过程。该设备和方法重新组织大规模集成电路设计和制造过程中的实时信息交换,将芯片设计和芯片制造作为一个统一的过程结合起来考虑,并使得综合优化成为可能。这样就解决了在现今集成电路芯片设计过程和芯片制造过程分离于不同的经济实体中所造成的许多问题,从而降低集成电路产品的开发周期,保证大规模集成电路制造过程的成品率。
搜索关键词: 一种 大规模 集成电路设计 制造 综合 优化 设备 方法
【主权项】:
1.一种大规模集成电路设计和制造的综合优化设备,其特征在于,包括:成像系统、计算系统和信息反馈系统,各系统与芯片设计‑制造过程的模块共同构成闭环控制系统,该设备能够促进集成电路设计制造过程中的实时信息交换,其中,所述成像系统,用于采集芯片制造过程中芯片的工艺图像;所述计算系统,用于将采集到的所述工艺图像进行分析处理,还包括数据存储系统,用于暂存所采集的所述工艺图像,如果采集到的数据不能立即处理完毕,可以先暂存于数据存储系统中,待计算资源可供使用以后再处理;所述信息反馈系统,用于将分析处理后的结果反馈给芯片设计‑制造过程的模块;将分析处理后的结果反馈给芯片设计‑制造过程的内容为:工艺过程的偏差,光刻掩模的优化和制程模型的更新;具体为:所述工艺过程的偏差是在芯片制造过程中调整工艺参数的设置;所述光刻掩模的优化是在掩模制造过程中根据反馈的参数对光刻掩模的光学临近校正进行重新设计和重新优化;所述制程模型的更新是通过更新制程模型将所述工艺过程的相关参数传递给芯片设计公司,修改芯片设计。
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