[发明专利]一种极紫外波段宽带Mo/Si多层膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510962449.0 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105445819B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 喻波;姚舜;金春水 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G02B5/08;G02B27/00;G03F7/20 |
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| 地址： | 130000 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种极紫外波段宽带Mo/Si多层膜的制备方法，包括以下步骤依据目标宽带Mo/Si多层膜的指标，采用两层模型进行膜系设计，获得Mo/Si膜系厚度序列；依据所述Mo/Si膜系厚度序列，采用有效厚度法标定各周期Mo膜层和Si膜层分别对应的公转速度；依据各周期Mo膜层和Si膜层分别对应的公转速度，控制磁控溅射镀膜机进行宽带Mo/Si多层膜的制备；该制备方法具有设计简单，误差小，吻合度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 波段 宽带 mo si 多层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种极紫外波段宽带Mo/Si多层膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：依据目标宽带Mo/Si多层膜的指标，采用两层模型进行膜系设计，获得Mo/Si膜系厚度序列；依据所述Mo/Si膜系厚度序列，采用有效厚度法标定各周期Mo膜层和Si膜层分别对应的公转速度；依据各周期Mo膜层和Si膜层分别对应的公转速度，控制磁控溅射镀膜机进行宽带Mo/Si多层膜的制备；其中，依据目标宽带Mo/Si多层膜的指标，采用两层模型进行膜系设计，获得Mo/Si膜系厚度序列步骤包括：计算已知不同宽带Mo/Si膜系厚度序列在固定波长、不同正入射角下的反射率，通过递归算法获得不同宽带Mo/Si膜系厚度序列对应的反射谱利用不同宽带Mo/Si膜系厚度序列对应的反射谱寻找使得评价函数MF值最小的反射谱以及该反射谱对应的宽带Mo/Si膜系厚度序列；所述评价函数MF具体为，其中，和分别为目标宽带Mo/Si多层膜指标中对应的最大入射角和最小入射角，为目标宽带Mo/Si多层膜指标中对应的反射谱，为入射角；寻找使得评价函数MF值最小采用的方法为Levenberg‑Marquardt算法；采用有效厚度法标定各周期Mo膜层和Si膜层分别对应的公转速度公式为：νSi＝5.916/(dSieff+0.868)其中，νSi为各周期内Si膜层对应的公转速度，dSieff为各周期内Si膜层对应的厚度；νMo＝2.819/(dMoeff+0.281/νSi‑0.385)其中，νMo为各周期内Mo膜层对应的公转速度，dMoeff为各周期内Mo膜层对应的厚度。
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