[发明专利]一种微米级柱状硫化银阵列的可控制备方法在审

专利信息
申请号: 201510910559.2 申请日: 2015-12-10
公开(公告)号: CN105460971A 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 刘雪锋;张永明;孔伟伟 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: C01G9/08 分类号: C01G9/08
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 孙诗雨
地址: 214122 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种微米级柱状硫化银阵列的制备方法,属于化学工程与技术和半导体材料制备技术领域。本发明将可溶性银离子交换吸附到阳离子交换树脂表面,再加入含硫化合物,可室温制备微米级柱状硫化银,柱状硫化银在阳离子交换树脂圆球表面呈有序阵列排布,硫化银的长径比可高达20,且可以自由调控,可见光区反射率低至5%以下且可调控反射率的大小,在可见光区具有隐身的效果。
搜索关键词: 一种 微米 柱状 硫化 阵列 可控 制备 方法
【主权项】:
一种微米级柱状硫化银阵列的可控制备方法,其特征在于采用以下工艺步骤:以重量份计,取1‑3份含银离子的化合物溶解到20‑60份去离子水中,再投入2‑15份阳离子交换树脂静置10‑20小时后,取出树脂用去离子水反复洗涤无游离离子,即为含银离子‑阳离子交换树脂前驱体物质;取含硫化合物2‑10份充分溶解在30‑55份的去离子水中,再取2‑15份含银离子‑阳离子交换树脂前驱体物质投入,控制温度20‑40℃反应1‑3小时后取出树脂,用去离子水洗涤后即制得微米级柱状硫化银阵列。
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