[发明专利]一种微米级柱状硫化银阵列的可控制备方法在审
申请号: | 201510910559.2 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105460971A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 刘雪锋;张永明;孔伟伟 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | C01G9/08 | 分类号: | C01G9/08 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 孙诗雨 |
地址: | 214122 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种微米级柱状硫化银阵列的制备方法,属于化学工程与技术和半导体材料制备技术领域。本发明将可溶性银离子交换吸附到阳离子交换树脂表面,再加入含硫化合物,可室温制备微米级柱状硫化银,柱状硫化银在阳离子交换树脂圆球表面呈有序阵列排布,硫化银的长径比可高达20,且可以自由调控,可见光区反射率低至5%以下且可调控反射率的大小,在可见光区具有隐身的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 微米 柱状 硫化 阵列 可控 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种微米级柱状硫化银阵列的可控制备方法,其特征在于采用以下工艺步骤:以重量份计,取1‑3份含银离子的化合物溶解到20‑60份去离子水中,再投入2‑15份阳离子交换树脂静置10‑20小时后,取出树脂用去离子水反复洗涤无游离离子,即为含银离子‑阳离子交换树脂前驱体物质;取含硫化合物2‑10份充分溶解在30‑55份的去离子水中,再取2‑15份含银离子‑阳离子交换树脂前驱体物质投入,控制温度20‑40℃反应1‑3小时后取出树脂,用去离子水洗涤后即制得微米级柱状硫化银阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学,未经江南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510910559.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。