[发明专利]波束天线有效

专利信息
申请号: 201510833000.4 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN105680166B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 李伟宇;高端环;黄萌祺;钟蒍;周敏杰 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种波束天线,包括第一介质层、第二介质层、至少一第一辐射导体单元以及能量传输导体结构。第一介质层具有信号源以及第一导体层。第二介质层具有至少一第一薄膜层,第一薄膜层附着于第二介质层的表面上。第一薄膜层并包含绝缘胶体以及多个触发粒子。第一辐射导体单元附着于第一薄膜层的表面上,第一薄膜层位于第一辐射导体单元以及第二介质层之间。能量传输导体结构位于第一以及第二介质层之间,具有第一端点以及第二端点,第一端点电气耦接或电气连接于信号源,第二端点电气耦接或电气连接于第一辐射导体单元。据此,能有效减少介质与欧姆损耗的天线架构,来提升单一天线设计的远场辐射特性。
搜索关键词: 波束 天线
【主权项】:
1.一种波束天线,其特征在于,包含:第一介质层,其具有信号源以及第一导体层,所述第一导体层附着于所述第一介质层的表面上,并且所述信号源电气耦接或电气连接于所述第一导体层;第二介质层,其具有至少一第一薄膜层,所述第一薄膜层附着于所述第二介质层的表面上,并且所述第一薄膜层包含:绝缘胶体,其为高分子材料;以及多个触发粒子,其包含有机金属粒子、金属螯合物,与带隙大于等于3电子伏特的半导体材料至少其中之一,所述多个触发粒子可受激光能量照射活化,其中所述激光能量的波长介于430至1080毫微米之间;至少一第一辐射导体单元,其附着于所述第一薄膜层的表面上,所述第一薄膜层位于所述第一辐射导体单元以及所述第二介质层之间;以及能量传输导体结构,其位于所述第一介质层以及所述第二介质层之间,并具有第一端点以及第二端点,所述第一端点电气耦接或电气连接于所述信号源,所述第二端点电气耦接或电气连接于所述第一辐射导体单元,并激发所述波束天线产生至少一共振模态来涵盖至少一通讯系统频段操作。
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