[发明专利]H2

摘要

本发明提供一种H2S选择性氧化生成单质硫的工艺方法，包括加热器、选择性氧化反应器、中温冷凝器和低温冷凝器、液体硫磺槽；反应器中装填平均孔直径30‑50nm的5‑12%Fe2O3/氧化硅H2S选择性氧化催化剂，催化剂分多层装填，层间各设一路空气喷入口及一路降温盘管；通过适当控制各催化剂床层温度、空气的配入总量及在各空气入口的分配量，将含H2S 0.5‑2%的工艺气中的H2S全部氧化，除了生成≤200 mg/m3的SO2，其余全部转化为单质硫，从而达到所在行业或地区可能存在较为严格的排放标准。本发明工艺较为简短，SO2排放浓度较低，工艺运行稳定。

主权项

1.一种H2S选择性氧化生成单质硫的工艺方法，包括加热器、选择性氧化反应器、中温冷凝器和低温冷凝器、液体硫磺槽；反应器中装填平均孔直径30-50nm的5-12%Fe2O3/氧化硅H2S选择性氧化催化剂，催化剂分多层装填，层间各设一路空气喷入口及一路降温盘管；通过适当控制各催化剂床层温度、空气的配入总量及在各空气入口的分配量，将过程气中的H2S全部氧化，除了生成≤200 mg/m3的SO2，其余全部转化为单质硫；含H2S原料气在Fe2O3/氧化硅催化剂床层中的气时空速为200h-1；含H2S体积含量 0.5-2%的原料气，和计量配入的空气混合，经加热器预热到180～210℃后，由顶部进入选择性氧化反应器，催化剂层间入口喷入计量的空气；调节各床层的空气量和盘管降温程度，控制中上部床层温度180-220℃，下部床层温度220-240℃，使出口气中不含H2S，SO2 的体积含量≤200 mg/m3；出口气进入中温冷凝器，冷却到140-160℃，生成的单质硫分离进入液体硫磺槽，中温冷凝器顶部出口气，再经低温冷凝器冷却至40-60℃除去剩余微量单质硫后，经烟囱排空。