[发明专利]高性能光中继器有效

专利信息
申请号: 201510802308.2 申请日: 2015-11-19
公开(公告)号: CN105721057B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 方旌;吴佐国;V.伊耶 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H04B10/291 分类号: H04B10/291;H04B10/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;付曼
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开涉及高性能光中继器。光学元件通过第二电气链路耦合于第二设备。特定光学元件进一步在第二电气链路的第一入站通路上从第二设备接收第一信号、在第二电气链路的第二入站通路上从第二设备接收第二信号以及在特定光学链路上使第一和第二信号复用以向第一设备发送第一和第二信号。
搜索关键词: 性能 中继
【主权项】:
1.一种用于传递数据的装置,所述装置包括:特定光学元件,用于:在特定光学链路上从另一个光学元件接收特定光学信号,其中所述特定光学信号识别第一设备的下拉电压的检测,所述第一设备的下拉电压要由另一个光学元件在第一电气链路上检测;基于所述特定光学信号在第二电气链路的出站通路上生成合成下拉电压,其中所述特定光学元件要通过所述第二电气链路耦合于第二设备;从所述第二设备接收第一信号,其中所述第一信号在所述第二电气链路的第一入站通路上被接收;从所述第二设备接收第二信号,其中所述第二信号在所述第二电气链路的第二入站通路上被接收;以及在特定光学链路上使所述第一和第二信号复用以向所述第一设备发送所述第一和第二信号。
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