[发明专利]一种基于钴酸锰分级结构纳米花薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及过渡金属氧化物，特指一种基于钴酸锰分级结构纳米花薄膜的制备方法。本发明采用水热及高温煅烧的合成方法，在较低温度下通过水热法，在泡沫镍片的表面原位生长一层由纳米带构成的纳米花薄膜材料，并进一步煅烧得到纳米花结构的金属氧化物薄膜材料。本发明通过用六亚甲基四胺为外加碱源，可以调控纳米花的厚度、尺寸，得到金属氢氧化物纳米薄膜材料，并进一步煅烧最终获得形貌规整、结构稳定的金属氧化物分级结构纳米材料。本发明方法实验条件温和可控，实用性强，且重现性好。

主权项

一种基于钴酸锰分级结构纳米花薄膜的制备方法，其特征在于按照如下步骤进行：（1）钴酸锰前驱体溶液的制备将氯化钴、氯化锰、六亚甲基四胺和氟化铵加入蒸馏水，超声、磁力搅拌器搅拌使其混合均匀，然后待用；（2）钴酸锰前驱体的制备：将上述钴酸锰前驱体溶液倒入聚四氟乙烯衬底的反应釜中，取出一片活化处理后的泡沫镍加入到上述反应釜中，密封，置于烘箱中，控制烘箱的温度为100‑150℃之间，反应8‑12小时，冷却至室温，洗涤、真空干燥，即得钴酸锰前驱体；其中：氯化钴、氯化锰、六亚甲基四胺、氟化铵的摩尔比为0.2~2：0.2~2：3~10：2~10，六亚甲基四胺的作用为结构导向剂；（3）钴酸锰纳米花的制备：将步骤（2）所得生长在泡沫镍表面的钴酸锰前驱体放入管式炉中在200‑500度之间进行煅烧。