[发明专利]一种利用元线圈阵列对霍尔巴赫磁体进行匀场的方法有效

专利信息
申请号: 201510763762.1 申请日: 2015-11-11
公开(公告)号: CN105223527B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 徐雅洁;张广才;杨晓冬 申请(专利权)人: 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
主分类号: G01R33/3875 分类号: G01R33/3875
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 张利强
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种利用元线圈阵列对霍尔巴赫磁体进行匀场的方法,包括以下步骤:分别根据霍尔巴赫磁体的结构,进行元线圈在圆柱形曲面轴向等间隔、角向等间隔和等角度的均匀分布,为每一个元线圈匹配独立的驱动电路,供电电流彼此独立,或者把元线圈分为多组,每组元线圈施加相同的驱动电流,根据所需产生的非均匀磁场强度分布,计算各元线圈中电流分布方向及大小。通过上述方式,本发明所述的利用元线圈阵列对霍尔巴赫磁体进行匀场的方法能够快速方便调节磁场均匀度,产生能够抵消非均匀磁场分布的匀场效果,缩小了匀场线圈所占空间,增加了测量口径尺寸。
搜索关键词: 霍尔 匀场 线圈阵列 非均匀磁场 等间隔 电流分布方向 磁场均匀度 圆柱形曲面 彼此独立 方便调节 供电电流 强度分布 驱动电流 驱动电路 匀场线圈 角向 轴向 组元 匹配 抵消 口径 测量 施加
【主权项】:
1.一种利用元线圈阵列对霍尔巴赫磁体进行匀场的方法,其特征在于,包括以下步骤:利用一组元线圈进行阵列分布,针对霍尔巴赫磁体的磁场分布进行匀场,分别根据霍尔巴赫磁体的结构,进行元线圈在圆柱形曲面轴向等间隔、角向等间隔和等角度的均匀分布,或者在霍尔巴赫磁体局部匀场时进行贴合匀场曲面的非均匀分布;为每一个元线圈匹配独立的驱动电路,供电电流彼此独立,或者把元线圈分为多组,每组元线圈施加相同的驱动电流;根据所需产生的非均匀磁场强度分布,利用模拟退火优化算法或者Levenberg‑Marquardt优化算法计算各元线圈中电流分布方向及大小;对于模拟退火优化算法或者Levenberg‑Marquardt优化算法计算出的电流函数值,通过外部电路控制驱动元线圈工作,利用叠加磁场抵消主磁场的不均匀度,得到目标磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州生物医学工程技术研究所,未经中国科学院苏州生物医学工程技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510763762.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top