[发明专利]一种区分光致反常霍尔效应本征机制和非本征机制的方法有效
| 申请号： | 201510740274.9 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105259490B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 俞金玲;陈涌海;程树英;赖云锋;郑巧 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种区分光致反常霍尔效应本征机制和非本征机制的方法，按照如下步骤实现：选择符合预设条件的闪锌矿半导体量子阱材料；在相同的生长条件下生长两个不同阱宽的半导体量子阱；分别测量两个半导体量子阱的光致反常霍尔效应电流以及普通光电流信号，得到光致反常霍尔电导对普通光电导信号的比值；分别测量两个半导体量子阱的光致电流效应电流，并对应将分别由Rashba以及Dresselhaus自旋轨道耦合引起的光致电流效应电流分离出来；根据测得的光致反常霍尔电导、普通光电导以及光致电流效应电流列方程，并求解出本征和非本征机制对光致反常霍尔效应电流的贡献。本发明结构设计简单，易于操作，有利于日后推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区分 反常 霍尔 效应 机制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种区分光致反常霍尔效应本征机制和非本征机制的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：选择符合预设条件的闪锌矿半导体量子阱材料；步骤S2：在相同的生长条件下生长两个不同阱宽的闪锌矿半导体量子阱，即第一半导体量子阱以及第二半导体量子阱；步骤S3：分别测量所述第一半导体量子阱以及所述第二半导体量子阱的光致反常霍尔效应电流以及普通光电流信号，并对应得到两个半导体量子阱的光致反常霍尔电导对普通光电导信号的比值；步骤S4：分别测量所述第一半导体量子阱以及所述第二半导体量子阱的光致电流效应电流，并对应将分别由Rashba以及Dresselhaus自旋轨道耦合引起的光致电流效应电流分离出来；步骤S5：根据测得的光致反常霍尔电导、普通光电导以及光致电流效应电流列方程，并求解出本征和非本征机制对光致反常霍尔效应电流的贡献。
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