[发明专利]一种分叉型二氧化钛纳米管阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201510726449.0 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105369323A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陶海升;侯玉文;黄雅玲;陈倩 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所 11308 | 代理人： | 范奇 |
| 地址： | 241000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分叉型二氧化钛纳米管阵列的制备方法，方法包括以下步骤：预处理工序、阳极氧化工序、退火工序。本发明与现有技术相比，由于本发明所制的二氧化钛是中空的，在空孔中填充各种半导体或导体材料，制备半导体的PN结，形成二极管或三极管阵列。比通过N型掺杂和P型掺杂并紧密接触制备得到的半导体性能更优良，也可以填充电容性材料，制备超级电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分叉 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种分叉型二氧化钛纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：预处理工序、阳极氧化工序、退火工序。
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