[发明专利]一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法在审
| 申请号： | 201510701570.8 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105225833A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;刘如;苏桦;钟智勇;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F10/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下，在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜；然后外加大小大于交换耦合多层膜的交换偏置场Hex1、方向与交换耦合多层膜交换偏置场Hex1方向相反的外磁场H2，同时在交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流，即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。本发明可在薄膜噪声抑制器制备完成后，根据实际需要调整噪声信号抑制频段及展宽噪声抑制器的抑制频段，可大大提高薄膜噪声抑制器的应用灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 薄膜 噪声 抑制器 带宽 调制 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，包括以下步骤：步骤1：采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下，在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜；采用薄膜沉积工艺沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜时，所述外磁场H1的方向沿膜面，大小在50Oe～300Oe之间；所得的[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜由于铁磁层与反铁磁层之间的钉扎作用，会产生沿外磁场H1方向的交换偏置场Hex1；步骤2：对步骤1得到的交换耦合多层膜施加外磁场作用，所述施加的外磁场H2的大小为大于交换耦合多层膜的交换偏置场Hex1、方向与步骤1所述交换耦合多层膜交换偏置场Hex1方向相反；同时，在所述交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流，即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。
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