[发明专利]一种通过极化方向调控霍尔效应的结构

摘要

本发明公开了一种通过极化方向调控霍尔效应的结构，包括基片，基片上沉积下电极层，下电极层上沉积BFO薄膜层，BFO薄膜层上沉积有两个并排方孔的绝缘层；绝缘层上的每个方孔内沉积呈十字架形的铂电极，铂电极的端部在绝缘层上向外延伸并纵向连接为一体。在铂电极的六个端部焊接银电极。由于BFO不但具有磁性，同时还具有铁电性，其铁电极化方向可以通过外场进行调控。而BFO中磁性来源于铁离子，在极化方向转变的过程中，铁离子的位置可能会发生移动，从而影响到薄膜铂的磁性，进一步影响到铂/BFO的反常霍尔效应。本发明通过改变极化方向来调控反常的霍尔效应，对于研究和分析稀磁半导体中的磁性机制和在自旋电子学方面具有潜在应用的材料具有重要作用。

主权项

一种通过极化方向调控霍尔效应的结构，其特征在于：包括：基片；下电极层，沉积在基片上；BFO薄膜层，沉积在下电极层上；绝缘层，沉积在BFO薄膜层上；所述绝缘层上并排设有两个方孔；所述绝缘层的两个方孔内均设有呈十字架形的铂电极，所述铂电极的下端面与BFO薄膜层接触，铂电极的上端高于方孔口部且铂电极的四个端部在绝缘层上向外延伸，两个铂电极位于两个方孔之间的两端部连接为一体；所述两个铂电极的六个端部均固定连接银电极。