[发明专利]一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510632608.0 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105112861A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 王锐;张昱屾;仇兆忠;徐欢欢;吴晓宏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法，它涉及稀土掺杂二氧化钒薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有基质材料仅仅具有发光性能，不具有其他功能特性的问题。方法：一、制备Er2O3圆形陶瓷片；二、射频反应溅射；三、热处理，得到铒单掺二氧化钒多晶薄膜。本发明制备出铒单掺二氧化钒多晶薄膜具有明显的单色绿光发射同时具有明显的金属绝缘相变特性，制备出具有丰富功能的上转换发光材料。本发明制备的铒单掺二氧化钒多晶薄膜具有明显的绿光发射；因此本发明制备的铒单掺二氧化钒多晶薄膜可以成为新的单色绿光上转化发光材料。本发明可获得一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铒单掺二 氧化 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法，其特征在于一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法是按以下步骤完成的：一、制备Er2O3圆形陶瓷片：将三氧化铒粉体进行压片，得到直径为4.9mm，厚度为2mm的Er2O3圆形陶瓷片；二、射频反应溅射：将直径为4.9mm，厚度为2mm的Er2O3圆形陶瓷片固定在直径为49mm，厚度为5mm的五氧化钒圆形陶瓷片的中心；以Er2O3圆形陶瓷片和五氧化钒圆形陶瓷片作为复合靶材，以玻璃基片作为基片，预抽真空度至6.0×10‑4Pa～1.0×10‑3Pa，再通入氩气和氧气，再在溅射真空度0.8Pa～3Pa、溅射温度为350℃～500℃、偏压为100V～200V和溅射功率为80W～140W的条件下溅射30min～180min，得到铒单掺的五氧化钒薄膜；步骤二中所述的氩气与氧气的体积比为(0.2～2):100；三、热处理：将步骤二中得到的铒单掺的五氧化钒薄膜放入管式炉中，再在氮气气氛下，以4℃/min～8℃/min的升温速率将管式炉从室温升温至250℃～550℃，再在温度为250℃～550℃下热处理2h～6h，得到铒单掺二氧化钒多晶薄膜；步骤三得到铒单掺二氧化钒多晶薄膜的厚度为200nm～250nm。
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