[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201510629794.2 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106556973A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李健;胡骏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻方法，包括步骤在晶圆的待刻蚀层表面涂覆第一厚度的光刻胶；对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；烘烤后将光刻胶的表层去除，剩余第二厚度的光刻胶；去除后对剩余的光刻胶进行曝光显影，形成图形化的光刻胶；在所述图形化的光刻胶的保护下对所述待刻蚀层进行刻蚀。本发明使光刻胶内的有机分子充分键合，提高了抗刻蚀能力，光刻胶较为致密且均匀，具有更强的抗刻蚀能力，从而有效增加刻蚀后光刻胶的剩余量，防止刻蚀步骤对待刻蚀层的损伤，提高了器件的电学性能以及良率的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，包括步骤：在晶圆的待刻蚀层表面涂覆第一厚度的光刻胶；对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；烘烤后将光刻胶的表层去除，剩余第二厚度的光刻胶；去除后对剩余的光刻胶进行曝光显影，形成图形化的光刻胶；在所述图形化的光刻胶的保护下对所述待刻蚀层进行刻蚀。
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