[发明专利]终端光学元件损伤在线检测中孪生像的剔除方法有效
| 申请号: | 201510616600.5 | 申请日: | 2015-09-24 | 
| 公开(公告)号: | CN105092608B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 | 
| 发明(设计)人: | 刘国栋;陈凤东;刘炳国;彭志涛;唐军;魏富鹏 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 | 
| 主分类号: | G01N21/958 | 分类号: | G01N21/958 | 
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人: | 杨立超 | 
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 | 
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| 摘要: | 终端光学元件损伤在线检测中孪生像的剔除方法,涉及光学元件检测技术领域,尤其涉及终端光学元件损伤在线检测中孪生像的剔除方法。本发明是要解决晶体双折射造成的重影剔除的问题。本发明方法通过以下步骤进行一、计算出M×N个点在成像系统中CCD上所成的o光像与e光像的坐标;二、计算出M×N个有向线段的距离与倾角;三、对计算出的M×N个有向线段的距离与倾角进行统计分析,找出o光像与e光像的位置关系;四、把e光像作为重影像,e光像的灰度积分值合并到o光像上,剔除e光像;五、保留o光像作为损伤点的唯一像。至此,完成了孪生像中的重影像的剔除。本发明适用于光学元件检测技术领域。 | ||
| 搜索关键词: | 终端 光学 元件 损伤 在线 检测 孪生 剔除 方法 | ||
【主权项】:
                终端光学元件损伤在线检测中孪生像的剔除方法,其特征在于它按以下步骤进行:一、对每一个存在晶体的成像光路,在被检光学元件上取样M×N个点,作为损伤点位置,计算出M×N个点在成像系统中CCD上所成的o光像与e光像的坐标;其中M×N个点中任一点在成像系统中CCD上所成的o光像与e光像的坐标按如下步骤进行;A、求寻常光波矢量ko和非常光波矢量ke的表达式:单轴晶体厚度为L,口径为a×b,一束平行光沿方向k1=(cosα1,cosβ1,cosθ1)照射到晶体表面,入射点为坐标原点O,z轴为晶体表面法线;晶体光轴p的方向余弦为ep=(x0,y0,z0),在晶体内,产生折射o光和e光,寻常光(o光)波矢量ko、非常光(e光)波矢量ke、非常光(e光)光线矢量se与z轴夹角分别为θo、θke、θse,由此得出ko、ke的表达式为:ko=(cosα1sinθ1sinθo,cosβ1sinθ1sinθo,cosθo)---(1)]]>ke=(cosα1sinθ1sinθke,cosβ1sinθ1sinθke,cosθke)---(2)]]>其中,ko、ke均为单位矢量,即|ko|=|ke|=1;B、求e光折射率n2:设ko、ke、se与晶体出射面交点分别为Po、Pke、Pse,由晶体光学理论可知,ko与ke均在入射面内,即:k1、ko、ke三者共面,se不在入射面内,但是ke、se与晶体光轴ep三者共面;设se的单位方向向量为:se=(ae,be,ce),对于o光,波矢量ko与光线方向so重合,折射角均为θo=arcsin(n1sinθ1/no);对于e光,折射率n2同波矢量ke与晶体光轴p的夹角θkp有关,即:n2=noneno2sin2θkp+ne2cos2θkp---(3)]]>式中no和ne分别是晶体的o折射率和e折射率;C、求解角θkp的值:由ke与p的夹角为θkp可得:cosθkp=ke·ep=x0cosα1sinθ1sinθke+y0cosβ1sinθ1sinθke+z0cosθke---(4)]]>由斯涅耳定律可知:n1sinθ1=n2sinθke    (5)把公式(4)代入公式(3)消去cosθkp得到n2表达式,然后再把得到的n2代入公式(5),整理出一个关于tanθke的二元一次方程:Atan2θke+Btanθke+C=0    (6)方程的解为:tanθke=-B±B2-4AC2A---(7)]]>其中由于tanθke只有一个根,因此可求出θke,将求出的θke代入到公式(4)中,可求出θkp值;D、求折射光se和折射光so方向余弦表达式:在单轴晶体中,ke与se的夹角为离散角α,表达式为:tanα=(1-ne2/no2)tanθkp1+(no2/ne2)tan2θkp---(9)]]>依上式即可求出离散角α;由ke、se与晶体光轴p三者共面可知:aebececosα1sinθ1sinθkecosβ1sinθ1sinθkecosθkex0y0z0=0---(10)]]>由晶体光学理论可知se与光轴p夹角θsp可由来确定;同时又有:cosθsp=se·ep=aex0+bey0+cez0     (11)cosα=ke·se=aecosα1sinθ1sinθke+becosβ1sinθ1sinθke+cecosθke---(12)]]>由公式(10)、(11)和(12),可以得到:Pse=Q     (13)其中se=aebece;Q=0cosθspcosα]]>当入射平面光为k1=(cosα1,cosβ1,cosθ1)时,折射光se=(ae,be,ce)与折射光so=(ao,bo,co)方向余弦表达式分别为:se=P‑1Q   (14)so=aoboco=0sin[arcsin(n1sinθ1/no)]cos[arcsin(n1sinθ1/no)]---(15)]]>E、求o光像与e光像的坐标:被检光学元件厚度L1,与光路中的晶体的距离为D1;晶体厚度为L2,晶体与成像系统的等效透镜距离为D2,等效透镜的光心为P,等效透镜与CCD距离为D3,被检光学元件后表面某一位置存在损伤点为Q(x,y),k1与k2表示损伤点Q(x,y)发出的两个不同方向的散射光波矢量,其中,光波矢量k1满足条件:k1入射到晶体入光面点A处,在晶体内产生的折射o光线折射角为θA,o光线穿出晶体后,出射的o光线经过成像系统的等效透镜光心P,照射到CCD感光面上Q1点,与其他汇聚来的o光线形成o光像Q1;光波矢量k2满足条件:k2入射到晶体入光面点B处,在晶体内产生的折射e光线折射角为θB,e光线穿出晶体后,出射的e光线经过成像系统的等效透镜光心P,照射到CCD感光面上Q2点,与其他汇聚来的e光线形成e光像Q2;通过搜索法找出o光像的位置Q1(x1,y1):f(θ1)=(D1+D2)tanθ1+L2tan[arcsin(n1sinθ1/no)]-x2+y2---(16)]]>x1=xx2+y2D3tanθ1my1=yx2+y2D3tanθ1m---(17)]]>θ1m是表达式(16)在f(θ1)=0时对应方程的解,tanθ1m是θ1m的正切值;再通过搜索法找出e光像的位置Q2(x2,y2):g(α1,β1)=x+aeceL2+cosα11-cos2α1-cos2β1(D1+D2)h(α1,β1)=y+beceL2+cosβ11-cos2α1-cos2β1(D1+D2)---(18)]]>x2=D3D1+D2(x+aeceL2)y2=D3D1+D2(y+beceL2)---(19)]]>二、对每一对孪生像画出一个有向线段,起点为o光像,终点为e光像,计算出M×N个有向线段的距离与倾角;三、对计算出的M×N个有向线段的距离与倾角进行统计分析,找出o光像与e光像的位置关系,以此为依据对在线图像进行重影像识别;四、把e光像作为重影像,e光像的灰度积分值合并到o光像上,剔除e光像;五、保留o光像作为损伤点的唯一像,完成了孪生像中的重影像的剔除。
            
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