[发明专利]磁控溅射装置及磁控溅射方法在审
| 申请号： | 201510608551.0 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105112873A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 苏同上;王东方;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁控溅射装置及磁控溅射方法，属于磁控溅射技术领域。其中，磁控溅射装置，包括至少一个溅射腔室，每一所述溅射腔室内设置有用以放置被成膜基板的基板安装座和与所述基板安装座相对、用以放置靶材的靶材安装座，所述装置还包括：能够在所述靶材安装座和所述基板安装座之间形成均匀磁场的亥姆霍兹线圈。本发明的技术方案能够显著提高磁控溅射装置成膜的均匀性和靶材利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射装置，包括至少一个溅射腔室，每一所述溅射腔室内设置有用以放置被成膜基板的基板安装座和与所述基板安装座相对、用以放置靶材的靶材安装座，其特征在于，所述装置还包括：能够在所述靶材安装座和所述基板安装座之间形成近似均匀磁场的亥姆霍兹线圈。
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