[发明专利]一种解决VR负载变化太快导致MOS损坏的方法

摘要

本发明公开了一种解决VR负载变化太快导致MOS损坏的方法，其具体实现过程为：在服务器主板的供电转换芯片中，在负载变化速率过快时，通过降低供电转换芯片内部耦合干扰，避免芯片对反馈信号的错误接收，出现内部逻辑错误，确保转换过程中MOS正常工作，输出电压处在正常应用范围内。该一种解决VR负载变化太快导致MOS损坏的方法与现有技术相比，针对服务器主板在搭配不同配置或者不同工作模式下负载变化过快导致烧坏MOS的问题，保证产品在工作过程中不会出现故障，影响正常工作；同时，也应用于改善各类服务器电路板卡的工作稳定性，实用性强，易于推广。

主权项

一种解决VR负载变化太快导致MOS损坏的方法，其特征在于，其具体设计过程为：在服务器主板的供电转换芯片中，在负载变化速率过快时，通过降低供电转换芯片内部耦合干扰，避免芯片对反馈信号的错误接收，出现内部逻辑错误，确保转换过程中MOS正常工作，输出电压处在正常应用范围内。