[发明专利]航空电子系统大气中子单粒子效应的分析方法及系统有效

专利信息
申请号: 201510548509.4 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN105740596B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 王群勇;陈冬梅 申请(专利权)人: 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种航空电子系统大气中子单粒子效应的分析方法及系统,以解决如何分析大气中子单粒子效应对航空电子系统的影响程度的问题。该方法包括:S1、确定分析对象;S2、获取航空电子系统在系统级、设备级和/或器件级的故障信息数据;S3、根据所述故障信息数据,计算所述分析对象因大气中子单粒子效应发生故障的总故障率;S4、根据所述总故障率,分析大气中子单粒子效应对所述分析对象的影响程度。本发明首先确定分析对象,然后根据相关的数据计算分析对象的总故障率,并利用该总故障率对大气中子单粒子效应对分析对象的影响程度进行分析。本发明提供了一种大气中子单粒子效应的分析方法,而且该方法简单、快速。
搜索关键词: 单粒子效应 分析对象 航空电子系统 故障率 分析方法及系统 故障信息数据 分析 发生故障 数据计算 系统级
【主权项】:
一种航空电子系统大气中子单粒子效应的分析方法,其特征在于,包括:S1、确定分析对象,其中,所述分析对象为航空电子系统、航空电子系统中的电子设备和/或电子设备中的电子器件;S2、获取航空电子系统在系统级、设备级和/或器件级的故障信息数据;S3、根据所述故障信息数据,计算所述分析对象因大气中子单粒子效应发生故障的总故障率;S4、根据所述总故障率,分析大气中子单粒子效应对所述分析对象的影响程度;其中,采用下式计算所述航空电子系统的总故障率:<mrow><msub><mi>&lambda;</mi><mrow><mi>S</mi><mi>E</mi><mi>E</mi><mo>-</mo><mi>s</mi><mi>y</mi><mi>s</mi><mi>t</mi><mi>e</mi><mi>m</mi></mrow></msub><mo>=</mo><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>n</mi></munderover><msub><mi>&lambda;</mi><mrow><mi>S</mi><mi>E</mi><mi>E</mi><mo>-</mo><mi>e</mi><mi>q</mi><mi>u</mi><mi>i</mi><mi>p</mi><mi>m</mi><mi>e</mi><mi>n</mi><mi>t</mi><mo>-</mo><mi>i</mi></mrow></msub><mo>=</mo><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>j</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>m</mi></munderover><msub><mi>&lambda;</mi><mrow><mi>S</mi><mi>E</mi><mi>E</mi><mo>-</mo><mi>d</mi><mi>e</mi><mi>v</mi><mi>i</mi><mi>c</mi><mi>e</mi><mo>-</mo><mi>j</mi></mrow></msub><mo>=</mo><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>k</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>q</mi></munderover><msub><mi>&lambda;</mi><mrow><mi>S</mi><mi>E</mi><mi>E</mi><mo>-</mo><mi>e</mi><mi>l</mi><mi>e</mi><mi>m</mi><mi>e</mi><mi>n</mi><mi>t</mi><mo>-</mo><mi>k</mi></mrow></msub></mrow>λSEE‑equipment‑i为所述航空电子系统中第i个电子设备的总故障率,n为航空电子系统中电子设备的个数,m为航空电子系统中电子器件的个数,λSEE‑element‑k为所述航空电子系统中第k个功能块的总故障率,所述第k个功能块的总故障率为第k个功能模块因大气中子发生的所有类型单粒子效应的故障率之和,q为航空电子系统中功能块的个数;λSEE‑device‑j为所述航空电子系统中第j个电子器件的总故障率,所述λSEE‑device‑j通过下式计算:<mrow><msub><mi>&lambda;</mi><mrow><mi>S</mi><mi>E</mi><mi>E</mi><mo>-</mo><mi>d</mi><mi>e</mi><mi>v</mi><mi>i</mi><mi>c</mi><mi>e</mi><mo>-</mo><mi>j</mi></mrow></msub><mo>=</mo><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>u</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>w</mi></munderover><munderover><mo>&Sigma;</mo><mrow><mi>v</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>s</mi></munderover><msub><mi>&lambda;</mi><mrow><mi>S</mi><mi>E</mi><mi>E</mi><mo>-</mo><mi>e</mi><mi>l</mi><mi>e</mi><mi>m</mi><mi>e</mi><mi>n</mi><mi>t</mi><mo>-</mo><mi>v</mi><mi>u</mi></mrow></msub><mo>&times;</mo><msub><mi>&epsiv;</mi><mn>1</mn></msub><mo>&times;</mo><msub><mi>&epsiv;</mi><mn>2</mn></msub><mo>&times;</mo><msub><mi>&epsiv;</mi><mn>3</mn></msub></mrow>λSEE‑element‑vu为第j个电子器件中的第v个功能块因大气中子发生第u种类型单粒子效应的故障率,s为第j个电子器件中功能块的个数,w为单粒子效应的类型数目,ε1为第v个功能块发生第u种类型单粒子效应的比特位占用率,ε2为第v个功能块发生第u种类型单粒子效应的有效时间比率,ε3为第v个功能块发生第u种类型单粒子效应的防护效果传递率,所述λSEE‑element‑vu通过下式计算:为导致第v个功能块发生第u种类型单粒子效应的能量E大于能量阈值E0的高能中子的个数,为第v个功能块由能量E大于能量阈值E0的高能中子引发第u种类型单粒子效应的敏感截面,flux热中子为导致第v个功能块发生第u种类型单粒子效应的热中子的个数,σ热中子为第v个功能块由热中子引发第u种类型单粒子效应的敏感截面,所述能量阈值E0小于10MeV。
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