[发明专利]一种Nand Flash的擦除方法有效
| 申请号： | 201510523195.2 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106486169B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 潘荣华;涂美红 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nand Flash的擦除方法，包括：S101、对擦除块进行软擦除操作；S102、校验所述擦除块中存储单元是否满足擦除条件；S103、如果所述擦除块中存储单元满足擦除条件，则结束擦除操作；否则执行步骤S104；S104、以设定步进值抬升施加给所述擦除块的当前擦除电压，对所述擦除块进行擦除操作，之后返回步骤S102。本发明提供的擦除方法能够减少擦除过程中Nand Flash存储单元中的电荷陷阱，缓解存储单元阈值电压的偏移，从而减缓Nand Flash的擦除衰退，增加其擦除次数进而延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Nand Flash的擦除方法，其特征在于，包括：S101、对擦除块进行软擦除操作，包括：a、为擦除块施加初始软擦除电压，并在预设时间内持续施压；b、以设定电压增量值抬升当前软擦除电压，同样在所述预设时间内持续施压；c、如果当前软擦除电压值没有达到预设电压值，则重复步骤b；S102、校验所述擦除块中存储单元是否满足擦除条件，包括：擦除块中没有达到擦除状态的存储单元个数小于错误检查和纠正算法能够纠正的能力；S103、如果所述擦除块中存储单元满足擦除条件，则结束擦除操作；否则执行步骤S104；S104、以设定步进值抬升施加给所述擦除块的当前擦除电压，对所述擦除块进行擦除操作，之后返回步骤S102；其中，步进值是可变化的，步进值的变化范围为0.1V～2V，所述当前擦除电压为软擦除操作结束时的擦除电压。
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