[发明专利]光学半导体器件有效
| 申请号： | 201510520035.2 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105388560B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 国岛浩之;中柴康隆;若林胜;绵贯真一;小泽健;宇佐美达矢;山本悦章;坂本圭司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学半导体器件。提供了可防止在光学半导体器件中电信号的质量降低的技术。在与电信号传输线的延伸方向垂直的横截面中，电信号传输线被包括第一噪声截止布线、第二插塞、第一层布线、第一插塞、屏蔽半导体层、第一插塞、第一层布线、第二插塞和第二噪声截止布线的屏蔽部包围，屏蔽部被固定到参考电位。由此，屏蔽部阻挡由于源自半导体衬底的磁场或电场的作用而导致的影响电信号传输线的噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种光学半导体器件，包括：/n半导体衬底；/n第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述半导体衬底上；/n光学信号传输线的光波导，所述光学信号传输线的所述光波导由所述第一绝缘膜上的第一区域中形成的半导体层形成；/n光电转换部，所述光电转换部通过绝缘膜形成在所述半导体衬底上，所述光电转换部用于将光信号转换成电信号；/n屏蔽半导体层，所述屏蔽半导体层由所述第一绝缘膜上的不同于所述第一区域的第二区域中形成的半导体层形成；/nn层的多层布线，其中n≥2；/n电信号传输线，所述电信号传输线由所述第二区域中的第m层布线形成并且传播从所述光学信号转换的所述电信号，其中n≥m≥1；/n第一噪声截止布线和第二噪声截止布线，所述第一噪声截止布线和所述第二噪声截止布线分别形成在所述电信号传输线的两侧并且由离开并且平行于所述电信号传输线的第m层布线形成，其中n≥m≥1；/n第一导电部，所述第一导电部电耦合所述第一噪声截止布线和所述屏蔽半导体层；以及/n第二导电部，所述第二导电部电耦合所述第二噪声截止布线和所述屏蔽半导体层，/n其中，在与所述电信号传输线的延伸方向垂直的横截面中，所述电信号传输线被包括所述第一噪声截止布线、所述第二噪声截止布线、所述第一导电部、所述第二导电部和所述屏蔽半导体层的屏蔽部包围，所述屏蔽部被固定到参考电位。/n
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