[发明专利]晶圆结构及晶圆加工方法有效
| 申请号： | 201510516062.2 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN106467289B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;朱佳辉 | 申请（专利权）人： | 共达电声股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 齐则琳;张雷 |
| 地址： | 261200 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 公开了一种晶圆结构及一种晶圆测试方法。所述晶圆结构用于形成多个管芯，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底的第一表面上的多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中；以及位于所述多个第二功能层下方的多个划片标记，其中，所述多个管芯分别包括半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中的相邻管芯之间的机械和/或电连接。所述晶圆结构可以在划片道中提供功能层，并且便于激光切割分离相邻的管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆结构，用于形成多个管芯，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底的第一表面上的多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中；以及位于所述多个第二功能层下方的多个划片标记，其中，所述多个管芯分别包括半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中的相邻管芯之间的机械和/或电连接。
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