[发明专利]掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金的制备方法

摘要

本发明掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金的制备方法，涉及含稀土金属和磁性过渡金属的磁性材料，步骤是按照原料配比式(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix(x＝0.1～8.0)配制原料；熔化原料制备母合金铸锭；(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体的制备；对(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体进行等温退火处理，最终制得掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金。本发明克服了现有技术制备低Sm含量的Sm‑Co型非晶磁性合金很难得到非晶的缺陷，进一步提高了Sm‑Co型非晶合金的室温矫顽力。

主权项

掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金的制备方法，其特征在于具体步骤如下：第一步，原料配制：按照原料配比式(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix中以原子百分比计所限定的元素的组成范围，来称取该式中所涉及到的原料：纯Sm、纯Co、纯Fe、纯Zr、纯Nb、纯Al、B‑Fe合金和纯Si的重量，由此完成原料配制，上述原料配比式中x＝0.1～8.0；第二步，熔化原料制备母合金铸锭：将第一步配制好的原料全部放入真空电弧熔炼炉或真空感应熔炼炉坩埚中，熔炼时先对炉体抽真空度到低于5×10‑3Pa，炉温升至高于1600℃，直至全部原料熔炼均匀，然后倒入模具中冷却，即制得(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix母合金铸锭；第三步，(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体的制备：将第二步制得的(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix母合金铸锭装入熔体快淬炉中，重新熔融后在以40m/s的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬，由此制得具有非晶纳米晶复合结构的(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体，其薄带厚度为38～42μm，主晶相的平均晶粒尺寸小于10nm；第四步，对(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体进行等温退火处理：将第三步制得的(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体在真空炉中进行等温退火处理，退火时先对真空炉炉体抽真空度到低于5×10‑3Pa，退火温度选定为700℃、750℃或800℃，保温时间设定为10min、40min、60min、100min或120min，由此完成对(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体的等温退火处理，退火后的(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体的平均晶粒尺寸为10nm～30nm，依然为非晶纳米晶的复合结构，由此最终制得掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金。