[发明专利]获取输入电磁干扰在片上电源上的二维分布的方法和片上电源在审
| 申请号： | 201510458416.2 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105137224A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 粟涛;王自鑫;陈弟虎;颜麟;杨叶花 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/40 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种获取输入电磁干扰在片上电源上的二维分布的方法和片上电源，其中，所述方法包括：S10：获取所述片上电源中传感器阵列产生的阵列噪声；S20：向所述片上电源输入干扰信号，检测所述阵列噪声的频谱偏移量，根据所述频谱偏移量获取所述传感器阵列中至少一个传感器对应的单位频率偏移量；S30：根据所述单位频率偏移量计算该传感器所在位置的干扰强度，根据多个传感器对应的干扰幅度，获取所述片上电源的二维分布。本发明实施方式通过片上电源上的传感器阵列产生的阵列噪声，在干扰信号下使得阵列噪声产生的频谱偏移量来得到各传感器所在位置的干扰幅度，从而获得该片上电源在电磁干扰下的二维分布。 | ||
| 搜索关键词： | 获取 输入 电磁 干扰 电源 二维 分布 方法 | ||
【主权项】：
一种获取输入电磁干扰在片上电源上的二维分布的方法，其特征在于其包括：S10：获取所述片上电源中传感器阵列产生的阵列噪声，其中，所述阵列噪声为所述传感器阵列中若干个传感器产生的单位噪声叠加形成；S20：向所述片上电源输入干扰信号，检测所述阵列噪声的频谱偏移量，根据所述频谱偏移量获取所述传感器阵列中至少一个传感器对应的单位频率偏移量；S30：根据所述单位频率偏移量计算该传感器所在位置的干扰强度，根据多个传感器对应的干扰幅度，获取所述片上电源的二维分布。
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