[发明专利]一种提高同轴型传输线微放电阈值的结构

摘要

一种提高同轴型传输线微放电阈值的结构，在同轴型传输线外导体的内侧设置多个矩形沟槽，每个矩形沟槽沿外导体的横截面设置，多个矩形沟槽沿同轴型传输线外导体轴向平行排列，多个矩形沟槽形成多个电磁场畸变区域，在该区域内，电场呈现弯曲形状，且不均匀分布，使得带电粒子在该区域内的受力与常规同轴型传输线不同，在这种电场的作用下，带电粒子由内导体加速向外导体运动，当其运动到电磁场畸变区域时，带电粒子运动轨迹会发生变化，部分带电粒子不会垂直撞击外导体，这些带电粒子在内导体与外导体之间不会形成周期性震荡，从而降低了二次电子激发的概率，能够提高同轴型传输线的微放电阈值。

主权项

一种提高同轴型传输线微放电阈值的结构，其特征在于：包括外导体、内导体，内导体位于外导体内部，外导体和内导体不能接触，外导体和内导体形成中空腔体，外导体、内导体和中空腔体组成射频传输通道，该射频传输通道的特性阻抗根据需要进行设定，射频传输通道的一端为输入端口，射频传输通道的另一端为输出端口，在同轴型传输线外导体的内侧设置多个矩形沟槽，每个矩形沟槽沿外导体的横截面设置，多个矩形沟槽沿同轴型传输线外导体轴向平行均匀排列，该多个矩形沟槽形成多个电磁场畸变区域，每两个矩形沟槽之间形成一个齿；设d为外导体内表面与内导体外表面之间的间隙，a为两个矩形沟槽之间形成的矩形齿的顶部宽度，t为矩形沟槽底部宽度，h为矩形沟槽深度；在同轴型传输线外导体的电磁场畸变区域中，电场呈现弯曲，且不均匀分布，使得带电粒子在该电磁场畸变区域内的受力不同，使得原电子和次级电子在该电磁场畸变区域内不能形成周期性震荡；真空环境中，在电场作用下，带电粒子由内导体加速向外导体运动，当带电粒子运动到电磁场畸变区域时，部分带电粒子不垂直撞击外导体，这些不垂直撞击外导体的带电粒子在内导体与外导体之间不形成周期性震荡，从而降低了二次电子激发的概率，能够提高同轴型传输线的微放电阈值。