[发明专利]一种提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法在审
| 申请号： | 201510449732.3 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105110808A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张程煜;张晓;赵蒙蒙;田卓;韩栋;李玫;乔小刚 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 陈星 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出一种提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法，对2D-C/SiC复合材料进行2-3个周期的预蠕变处理，预蠕变温度为1400℃-1600℃，在达到预蠕变温度后，保温0.5-1h，保温结束后，对2D-C/SiC复合材料进行加载，加载应力为σ，σ取0.6～1倍的σmax，σmax为2D-C/SiC复合材料原始基体开裂应力的上限值；加载应力保持时间不小于8小时，而后对2D-C/SiC复合材料卸载并降至室温，降温速率不大于12℃/min。本发明通过对2D-C/SiC复合材料预蠕变处理，使材料的基体开裂应力得到明显提高，从而使材料的蠕变寿命得到显著地提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 sic 复合材料 基体 开裂 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高2D‑C/SiC复合材料基体开裂应力的方法，其特征在于：对2D‑C/SiC复合材料进行2‑3个周期的预蠕变处理；每个周期采用以下步骤进行预蠕变处理：步骤1：将2D‑C/SiC复合材料装夹后置于在真空环境中；步骤2：对2D‑C/SiC复合材料进行预蠕变，预蠕变温度为1400℃‑1600℃；在2D‑C/SiC复合材料达到预蠕变温度后，保温0.5‑1h；步骤3：保温结束后，对2D‑C/SiC复合材料进行加载，加载应力为σ，σ取0.6～1倍的σmax，σmax为2D‑C/SiC复合材料原始基体开裂应力的上限值；加载应力保持时间不小于8小时；而后对2D‑C/SiC复合材料卸载并降至室温，降温速率不大于12℃/min。
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