[发明专利]单晶硅的制造方法

摘要

[课题]提供可降低单晶硅的制造成本且难以导入双晶的单晶硅的制造方法。[解决手段]基于丘克拉斯基法的单晶硅的制造方法，其包括如下工序向坩埚1内填充硅原料的填充工序；将填充工序中填充在坩埚1内的硅原料加热进行熔解的熔解工序；以及，将晶种浸渍于利用熔解工序产生的硅熔液后进行提拉的提拉工序。填充工序包括如下工序作为硅原料，将对多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎或切断而成的第1硅原料填充至坩埚1内的下部的第1填充工序；以及，作为硅原料，将对非多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎或切断而成的第2硅原料在坩埚1内填充至第1硅原料之上的第2填充工序。

主权项

基于丘克拉斯基法的单晶硅的制造方法，其包括如下工序：向坩埚内填充硅原料的填充工序；将所述填充工序中填充在所述坩埚内的所述硅原料加热进行熔解的熔解工序；以及将晶种浸渍于利用所述熔解工序产生的硅熔液后进行提拉的提拉工序，所述填充工序包括如下工序：将作为所述硅原料的对多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎或切断而成的第1硅原料填充至所述坩埚内的下部的第1填充工序；以及将作为所述硅原料的对非多槽性表面的多晶硅原料进行粉碎、切断而成的第2硅原料在所述坩埚内填充至所述第1硅原料之上的第2填充工序，在所述第2填充工序中，以覆盖所述第1硅原料的方式填充所述第2硅原料，所述多槽性表面的多晶硅是下述这样的多晶硅：表面被多晶硅的小片填埋，在所述小片之中，具有2mm~50mm直径的小片占50%以上，相邻的小片彼此之间形成有深度为3mm以上的槽者占50%以上的多晶硅，所述非多槽性表面的多晶硅是不满足上述多槽性表面的多晶硅的条件的多晶硅。