[发明专利]启动时间可调的高压启动电路有效

专利信息
申请号: 201510437350.9 申请日: 2015-07-23
公开(公告)号: CN105119479B 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 李海松;赵倡申;陶平;易扬波 申请(专利权)人: 苏州博创集成电路设计有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 江苏圣典律师事务所32237 代理人: 王玉国
地址: 215021 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及启动时间可调的高压启动电路,第一NMOS晶体管漏极与第一电阻第一端、第二NMOS晶体管栅极以及二极管负向端相连,第一NMOS晶体管源极与二极管正向端连接电源地,第二NMOS晶体管漏极与第一电阻第二端连接芯片SW端口,第二NMOS晶体管源极与第二电阻第一端连接芯片供电端口VDD,第二电阻第二端连接第三电阻第一端和第一比较器第一输入端,第一比较器输出端连接第一计数器,第一计数器的输出端连接PWM控制器,第一比较器检测VDD电压水平产生控制信号Ctrl1,第一计数器对Ctrl1上升沿或下降沿进行计数,产生初启使能信号和重启使能信号,灵活调节芯片上电启动及异常状况下重新启动的时间。
搜索关键词: 启动 时间 可调 高压 电路
【主权项】:
启动时间可调的高压启动电路,其特征在于:包含第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、二极管(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一比较器(101)以及第一计数器(102),第一NMOS晶体管(M1)的漏极与第一电阻(R1)的第一端、第二NMOS晶体管(M2)的栅极以及二极管(D1)的负向端相连,第一NMOS晶体管(M1)的源极与二极管(D1)的正向端一起连接至电源地,第二NMOS晶体管(M2)的漏极与第一电阻(R1)的第二端一同连接至芯片SW端口,第二NMOS晶体管(M2)的源极与第二电阻(R2)的第一端一同连接至芯片供电端口VDD,第二电阻(R2)的第二端连接至第三电阻(R3)的第一端和第一比较器(101)的第一输入端,第三电阻(R3)的第二端与电源地相连,第一比较器(101)的输出端连接第一计数器(102),第一计数器(102)的第一输出端和第二输出端连接至高压启动电路外的PWM控制器(103),第一比较器(101)检测芯片供电端口电压VDD电压水平并产生控制信号Ctrl1,第一计数器(102)通过对控制信号Ctrl1的上升沿或下降沿进行计数,并产生初启使能信号1和重启使能信号1,以分别调节芯片上电启动以及异常状况下重新启动的时间。
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